звонок консультанта
Идеален для соревнований SPL.
Возможность мостового подключения усилителей.
Расширенный набор регулировок баса.
Выносной регулятор баса в комплекте.
MOSFET транзисторы.
Технические характеристики |
|
Класс D |
|
Номинальная выходная мощность (4 Ом), Вт: |
1х1000 |
Номинальная выходная мощность (2 Ом), Вт: |
1х1800 |
Номинальная выходная мощность (1 Ом), Вт: |
1х2500 |
Диапазон частот(-3дБ), Гц, не уже: |
15–250 |
Коэффициент гармонических искажений, % не более: |
0,05 |
Входная чувствительность, В: |
0,2 – 6 |
Взвешенное отношение сигнал/шум (МЭК А), дБ, не менее: |
100 |
Пределы регулировки ФНЧ (12 дБ/окт), Гц: |
25-250 |
Пределы регулировки сабсоник-фильтра (12 дБ/окт), Гц: |
15–55 |
Диапазон плавной регулировки фазы: |
0–180 |
Регулировка усиления баса (45 Гц), дБ: |
0–18 |
Пределы регулировки частоты подъема баса, Гц: |
20–80 |
Размеры, мм: |
500х230х55 |
При обнаружении неточностей в описании товара, сообщите нам об этом через форму обратной связи.
Фирма-производитель оставляет за собой право на внесение изменений в конструкцию, дизайн и комплектацию товара без дополнительного уведомления об этих изменениях. Пожалуйста, сверяйте информацию о товаре с информацией на официальном сайте компании производителя. Вся информация на сайте носит справочный характер и не является публичной офертой.